不折不扣的 QLC 技术

探索闪迪第 8 代 BiCS QLC CBA NAND 如何在不牺牲全新 QLC SSD(如闪迪 PC SN5100S NVMe SSD)可靠性的情况下,提供更高的性能、比特密度和能效。

详细了解 QLC 信息

什么是 QLC?

存储单元构成闪存 NAND 存储的基础。在发展初期,存储单元只能存储单个位:1 或 0。这类存储单元称为单层单元 (SLC)。

随着闪存存储技术不断发展,工程师们发现了在每个存储单元中存储更多位数据的方法。多层单元 (MLC) 可存储 2 位数据,而三层单元 (TLC) 可存储 3 位数据。

四层单元 (QLC) 则可在每个存储单元中存储 4 位数据。这比 TLC 多存储 33% 的数据。

示意图:显示每个单元存储 1–4 位的 SLC、MLC、TLC 和 QLC 闪存

闪迪第 8 代 BiCS QLC CBA NAND

闪存通过更高的层数和架构创新不断发展。例如,第 6 代闪迪 BiCS NAND 采用 162 层存储单元构建,并将 CMOS Under the Array 集成在同一晶圆上;而第 8 代闪迪 BiCS NAND 则采用 CMOS Bonded to Array (CBA) 和 218 层存储单元,大幅提升性能并降低功耗。此外,与前几代产品相比,第 8 代闪迪 BiCS NAND 将比特密度提高了 50% 以上,使用横向和纵向缩减技术将更多数据打包到更小的物理晶粒中。

对于 QLC NAND,CBA 重新定义了 SSD 的可能性。高性能与能效的结合,使基于 QLC 的 SSD 能够满足企业和消费级 PC 对更高容量以及应用工作负载更高性能的日益增长的需求,同时还有助于延长笔记本电脑和移动设备的电池寿命。

QLC 与 TLC 对比

QLC 和 TLC 在数据存储中都很重要。

对于 OEM 及其他相关方而言,正确的选择取决于每项技术的优势,而要为用户带来更好的体验,则需要了解 QLC 与 TLC 之间的差异。

更大容量

QLC 通过在每个单元存储 4 个比特来提高比特密度,提供比 TLC 每个单元存储 3 个比特更大的空间。

成本效率

QLC 以更低的成本,提供比 TLC 更高的单元存储密度,从而降低了高容量解决方案的获取门槛。

应用优势

由于性能提升巨大且媲美 TLC,QLC 在消费级和商业应用中都表现出色,例如生产力套件、内容创作工作流程,甚至游戏。

权衡利弊

闪迪帮助实现了 QLC 的容量优势,同时缓解了其传统上较低的耐久度和性能问题。

谁能从第 8 代闪迪 BiCS QLC CBA NAND 中受益?

采用第 8 代闪迪 BiCS QLC CBA NAND 构建的 QLC SSD,是入门级和中端 PC 的理想存储解决方案,兼具高容量、强劲性能和出色能效。这些 SSD 可满足下一代企业或消费者应用的需求,包括生产力应用、内容创作,甚至游戏,为用户带来无妥协的使用体验。

系统集成商、PC 制造商和消费者 DIY 爱好者可将这些 QLC SSD 无缝集成到面向企业和消费者客户的产品中。

第 8 代闪迪 BiCS QLC CBA NAND 是否具有成本效率?

从根本上来说,第 8 代闪迪 QLC CBA NAND 每个存储单元可存储比闪迪 TLC NAND 更多的数据位,从而使位密度提升了 33%。QLC CBA NAND 可提供比 TLC 更高的总存储密度,从而降低每 GB 的总成本。

因此,基于第 8 代闪迪 QLC CBA NAND 的 SSD 可为系统集成商、PC 制造商和 DIY 爱好者提供更具成本效益的存储解决方案,在兼顾预算的同时满足存储需求,或满足不断增长的数据存储容量需求。

第 8 代闪迪 BiCS QLC CBA NAND 表现如何?

闪迪第 8 代 BiCS QLC NAND 可帮助 PC 制造商和消费者以 TLC 产品速度获得 QLC 比特密度,而不必担心可靠性。 用户正在生成更多内容,存储更大的文件,并要求其 PC 具备更高的容量。闪迪第 8 代 BiCS QLC NAND 有助于我们的 SSD 在许多客户端工作负载中实现与 TLC SSD 相当的性能水平。

参见图表:PCMark 10 结果表明,搭载我们第 8 代 BiCS NAND 的闪迪 Optimus 5100 NVMe SSD 与我们基于 TLC 的 SSD 相比,可提供更出色的性能。

条形图:显示闪迪 2TB QLC SSD 的 PCMark 10 得分为 737 MB/秒,闪迪 2TB TLC SSD 的 PCMark 10 得分为 731 MB/秒

闪迪 nCache 4.0 技术如何助力 QLC?

QLC SSD 配备 SLC 缓存后,可帮助维持性能并提升耐久度。

借助最新的闪迪 nCache 4.0 技术和第 8 代闪迪 BiCS QLC CBA NAND,闪迪 SSD 融合多项先进技术,为 PC 工作负载提供持续高性能、低功耗和出色耐久度。方法如下:

图表:显示闪迪 nCache 4.0 使用 SLC 缓存提升 QLC SSD 性能

兼具速度与容量

闪迪 nCache 4.0 采用混合式 SLC 写入缓存技术,可先将高频访问数据高速写入 SLC 缓存,再在空闲时间将数据移动至 QLC。nCache 4.0 有助于优化突发写入响应速度和持续写入性能。

智能缓存

通过智能管理数据写入 QLC NAND 的方式,闪迪 nCache 4.0 可帮助延长 QLC SSD 的使用寿命。这有助于减少存储单元损耗,并保护数据安全。

多样化应用案例

无论是进行内容创作,还是处理下一个专业项目,闪迪 nCache 4.0 都能为 QLC SSD 提供高速突发写入性能。

高性价比容量

闪迪 nCache 4.0 与 QLC 技术结合,可打造更实惠的大容量硬盘,让用户在不影响性能和可靠性的情况下存储更多内容。 

探索 QLC SSD

闪迪 PC SN5100S NVMe SSD

闪迪 PC SN5100S NVMe SSD 具有高性能、高能效和不折不扣的可靠性,可在不牺牲性能的情况下提供 QLC 容量。它是入门级和主流 PC 平台的理想选择。

闪迪 PC SN5100S 硬盘

高容量、高性价比

无需妥协即可获得高容量、经济高效的 QLC 和出色的可靠性。采用 M.2 2280 单面封装,容量高达 2TB2

优化您的工作流

闪迪 nCache 4.0 混合 SLC 写入缓存技术有助于提升性能,同时不牺牲耐久度。

高性能适用于高强度工作负载

凭借 PCIe® Gen4.0 和 NVMe 2.0 轻松应对密集工作负载,读取速度高达 7,300 MB/秒1(1024 GB2 和 2048 GB2 型号)。

将正确的数据交到正确的人手中

TCG Opal 2.02 安全功能为本硬盘(仅限自加密选项)提供额外安全防护,让您安心无忧。

卓越的能效

相比上一代产品5,可将您的设备在活跃使用期间的能效提高高达 30%。

面向消费者的闪迪 Optimus 5100 NVMe SSD

闪迪 Optimus 5100 NVMe SSD

高性能、高能效与可靠的 QLC 存储 – 闪迪 Optimus 5100 NVMe SSD 助您轻松应对大文件、复杂工作流程及多任务处理,绝不妥协。专业人士和内容创作者所用笔记本电脑的理想升级选择。

闪迪 Optimus SN5100 NVMe SSD

两全其美

获得高容量、经济高效的 QLC,存储更多内容。采用 M.2 2280 单面封装,容量高达 4TB2

优化您的工作流

在应用程序之间进行多任务处理或复制大型项目文件或文件夹时,闪迪 nCache 4.0 混合 SLC 写缓存技术可助力提升性能。

高性能适用于高强度工作负载

借助 PCIe® Gen4.0 高达 7,100MB/秒1(1TB2 和 2TB2 型号)的读取速度,提升支持 AI 的工作流程。

5 年保修

放心,您的硬盘享有我们值得信赖的闪迪 5 年有限质保服务3,以及高达 1,200TBW4 的耐久度评级(4TB2 型号)。

卓越的能效

与上一代产品相比,能效提升高达 50%,让您随时随地更快地完成项目。6

披露

  1. 除非另有说明,否则基于读取速度。1 MB/秒 = 每秒传输 1 百万字节。数据根据内部测试得出;性能可能会因主机设备、使用情况、硬盘容量和其他因素而异。
  2. 1GB = 10 亿字节,1TB = 1 万亿字节。实际用户可用容量可能较少,具体取决于操作环境。
  3. 满 5 年或达到耐久度 (TBW) 上限,以先到者为准。请访问 support.sandisk.com,了解特定地区的保修服务详情。
  4. TBW(写入的兆字节数)值使用 JEDEC 客户端工作负载 (JESD219) 计算,因产品容量而异。MTTF(平均故障时间)根据使用 Telcordia™ 应力测试(Telcordia SR-332、GF、25°C)的内部测试得出。MTTF 根据抽样总体填写,并根据统计测量和加速算法估计所得。MTTF 不会预测单个硬盘的可靠性,也不构成保修条件。
  5. 与我们的闪迪 PC SN5000S 1TB 和 2TB SSD 相比。性能基于顺序读取性能;1 GB/秒 = 每秒 10 亿字节。能效基于连续读取期间每秒测得的平均最大功耗。性能和能效可能会因主机设备、使用情况、硬盘容量和其他因素而异。
  6. 与 WD Blue SN5000 NVMe 2TB SSD 相比。能效基于连续读取期间每秒测得的平均最大功耗。能效可能会因主机设备、使用情况、硬盘容量和其他因素而异。
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