QLC แกร่งเหนือระดับ

สำรวจประสิทธิภาพที่เหนือชั้น ความหนาแน่นของบิต และการประหยัดพลังงานที่ดีเยี่ยมจาก BiCS QLC CBA NAND รุ่นที่ 8 โดยไม่ลดทอนความน่าเชื่อถือของ QLC SSD รุ่นใหม่ของเรา อย่าง SANDISK PC SN5100S NVMe™ SSD

สำรวจ

อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลความจุสูงที่ออกแบบมาเพื่อขีดสุดของประสิทธิภาพ

QLC NAND บรรจุข้อมูลได้มากขึ้นต่อหนึ่งเซลล์ ช่วยปลดล็อกความจุที่ปรับขนาดได้และประสิทธิภาพอันคุ้มค่า ตอบโจทย์ทั้งการใช้งานทั่วไปและงานเชิงพาณิชย์

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ QLC

สำรวจ QLC สำหรับ OEM

พบกับ QLC SSD

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ QLC

QLC คืออะไร

เซลล์หน่วยความจำ คือโครงสร้างพื้นฐานของระบบจัดเก็บข้อมูลแบบแฟลช NAND ในยุคแรกเริ่ม เซลล์หน่วยความจำสามารถจัดเก็บข้อมูลได้เพียงบิตเดียว ซึ่งก็คือ 1 หรือ 0 เซลล์ประเภทนี้เรียกว่า Single Level Cell (SLC)

เมื่อเทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลแบบแฟลชพัฒนาซับซ้อนยิ่งขึ้น วิศวกรจึงค้นพบวิธีเพิ่มจำนวนบิตเข้าไปในแต่ละเซลล์หน่วยความจำ Multi-Level Cell (MLC) สามารถจัดเก็บได้ 2 บิต และ Triple-Level Cell (TLC) สามารถจัดเก็บได้ 3 บิต

Quad-Level Cell หรือ QLC สามารถจัดเก็บได้ 4 บิตต่อหนึ่งเซลล์หน่วยความจำ ซึ่งมากกว่า TLC ถึง 33%

แผนภาพแสดงหน่วยความจำแฟลชแบบ SLC, MLC, TLC และ QLC ที่จัดเก็บข้อมูลตั้งแต่ 1-4 บิตต่อเซลล์

SANDISK BiCS QLC CBA NAND รุ่นที่ 8

หน่วยความจำแฟลชยังคงพัฒนาอย่างต่อเนื่องทั้งการเพิ่มจำนวนชั้นและนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรม ตัวอย่างเช่น SANDISK BiCS NAND รุ่นที่ 6 สร้างเซลล์หน่วยความจำซ้อนกัน 162 ชั้นและใช้เทคโนโลยี CMOS Under the Array บนเวเฟอร์แผ่นเดียว ในขณะที่ SANDISK BiCS NAND รุ่นที่ 8 ได้นำเทคโนโลยี CMOS Bonded to Array (CBA) และเซลล์หน่วยความจำ 218 ชั้นมาใช้ เพื่อยกระดับประสิทธิภาพและลดการใช้พลังงานลงอย่างมหาศาล นอกจากนี้ SANDISK BiCS NAND รุ่นที่ 8 ยังเพิ่มความหนาแน่นของบิตขึ้นมากกว่า 50% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า โดยบรรจุข้อมูลได้มากขึ้นในขนาดได (Physical die) ที่เล็กลงด้วยเทคนิคการย่อขนาดทั้งแนวตั้งและแนวขนาน

สำหรับ QLC NAND เทคโนโลยี CBA ได้กำหนดนิยามใหม่ให้กับความเป็นไปได้ของ SSD การผสานกันระหว่างประสิทธิภาพที่สูงขึ้นและการประหยัดพลังงาน ช่วยให้ SSD ที่ใช้ QLC สามารถตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นของพีซีทั้งในระดับธุรกิจและผู้บริโภคทั่วไปได้อย่างลงตัว ทั้งในด้านความจุที่สูงขึ้นและประสิทธิภาพสำหรับภาระงานของแอปพลิเคชันต่างๆ พร้อมช่วยยืดอายุการใช้งานแบตเตอรี่ในแล็ปท็อปและอุปกรณ์มือถือ

QLC เทียบกับ TLC

ทั้ง QLC และ TLC ต่างก็มีความสำคัญอย่างยิ่งต่อระบบจัดเก็บข้อมูล

สำหรับ OEM และผู้มีส่วนได้ส่วนเสียอื่นๆ การเลือกวิธีที่เหมาะสมขึ้นอยู่กับจุดเด่นของแต่ละเทคโนโลยี และผลลัพธ์ที่ดีที่สุดสำหรับผู้ใช้งานจะเกิดจากการเข้าใจข้อเปรียบเทียบระหว่าง QLC และ TLC

ความจุที่สูงกว่า

QLC เพิ่มความหนาแน่นของบิตโดยจัดเก็บข้อมูลได้ถึง 4 บิตต่อเซลล์ ซึ่งให้พื้นที่จัดเก็บมากกว่า TLC ที่จัดเก็บได้ 3 บิตต่อเซลล์

ความคุ้มค่า:

QLC ให้พื้นที่จัดเก็บข้อมูลต่อเซลล์มากกว่า TLC ในราคาที่ย่อมเยากว่า ทำให้โซลูชันความจุสูงเข้าถึงได้ง่ายขึ้น

ข้อได้เปรียบในการใช้งาน

QLC โดดเด่นทั้งในแอปพลิเคชันสำหรับผู้บริโภคและเชิงพาณิชย์ เช่น ชุดโปรแกรมสร้างงาน เวิร์กโฟลว์การสร้างสรรค์คอนเทนต์ หรือแม้แต่การเล่นเกม ด้วยประสิทธิภาพที่พัฒนาขึ้นอย่างก้าวกระโดดจนใกล้เคียงกับ TLC

การลดข้อจำกัดอย่างลงตัว

Sandisk ช่วยส่งมอบจุดเด่นด้านความจุของ QLC พร้อมลดข้อจำกัดดั้งเดิมเรื่องความทนทานและประสิทธิภาพที่เคยต่ำกว่า

ใครบ้างที่จะได้รับประโยชน์จาก SANDISK BiCS QLC CBA NAND รุ่นที่ 8

QLC SSD ที่สร้างขึ้นบน SANDISK BiCS QLC CBA NAND รุ่นที่ 8 เป็นไดรฟ์จัดเก็บข้อมูลที่สมบูรณ์แบบสำหรับพีซีระดับเริ่มต้นถึงระดับกลาง โดยผสมผสานจุดเด่นทั้งความจุที่สูง ประสิทธิภาพที่แข็งแกร่ง และการประหยัดพลังงานอย่างลงตัว SSD เหล่านี้สามารถขับเคลื่อนแอปพลิเคชันยุคใหม่ทั้งในระดับองค์กรและผู้บริโภคทั่วไป ตั้งแต่งานสร้างเสริมประสิทธิภาพ การสร้างสรรค์คอนเทนต์ ไปจนถึงการเล่นเกม เพื่อมอบประสบการณ์การใช้งานที่ดีเยี่ยมโดยไม่ต้องสูญเสียสิ่งใด

ผู้รวมระบบ ผู้ผลิตพีซี และผู้ประกอบคอมพิวเตอร์ใช้งานเอง (DIY) สามารถนำ QLC SSD เหล่านี้ไปประกอบและใช้งานร่วมกับระบบของลูกค้าองค์กรและผู้ใช้งานทั่วไปได้อย่างราบรื่น

SANDISK BiCS QLC CBA NAND รุ่นที่ 8 คุ้มค่าหรือไม่

โดยพื้นฐานแล้ว SANDISK QLC CBA NAND รุ่นที่ 8 สามารถจัดเก็บข้อมูลต่อเซลล์หน่วยความจำได้มากกว่า SANDISK TLC NAND ส่งผลให้มีความหนาแน่นของบิตสูงกว่าเดิมถึง 33% CBA NAND ของ QLC มอบความหนาแน่นรวมที่สูงกว่า TLC ซึ่งช่วยลดต้นทุนเฉลี่ยต่อกิกะไบต์ (GB) ลง

ด้วยเหตุนี้ SSD ที่ใช้ SANDISK QLC CBA รุ่นที่ 8 จึงเป็นโซลูชันที่คุ้มค่ากว่าสำหรับผู้รวมระบบ ผู้ผลิตพีซี และผู้ประกอบคอมพิวเตอร์ DIY ที่กำลังมองหาอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่คุ้มค่าในวงเงินที่กำหนด หรือเพียงต้องการความจุที่สูงขึ้นเพื่อรองรับข้อมูลที่เติบโตต่อเนื่อง

ประสิทธิภาพของ SANDISK BiCS QLC CBA NAND รุ่นที่ 8 เป็นอย่างไร

SANDISK BiCS QLC NAND รุ่นที่ 8 ช่วยให้ผู้ผลิตพีซีและผู้บริโภคได้รับความหนาแน่นระดับ QLC ในความเร็วเทียบเท่าผลิตภัณฑ์ระดับ TLC โดยไม่ต้องกังวลเเรื่องความน่าเชื่อถือของการใช้งาน ผู้ใช้ต่างสร้างคอนเทนต์มากขึ้น จัดเก็บไฟล์ขนาดใหญ่ขึ้น และต้องการความจุที่สูงขึ้นสำหรับพีซีของตน Sandisk BiCS QLC NAND รุ่นที่ 8 ช่วยให้ SSD ของเราบรรลุระดับประสิทธิภาพที่เทียบเท่ากับ TLC SSD ในการทำงานทั่วไปหลากหลายประเภท

ดูแผนภูมิ: ผลการทดสอบ PCMark 10 แสดงให้เห็นว่า SANDISK Optimus™ 5100 NVMe™ SSD ที่ขับเคลื่อนด้วย BiCS NAND รุ่นที่ 8 มอบประสิทธิภาพที่เหนือกว่าเมื่อเปรียบเทียบกับ SSD ที่ใช้เทคโนโลยี TLC ของเรา

แผนภูมิแท่งแสดงคะแนน PCMark 10 ที่ 737 MB/s สำหรับ SanDisk QLC SSD ความจุ 2 TB และ 731 MB/s สำหรับ SanDisk TLC SSD ความจุ 2 TB

เทคโนโลยี SANDISK nCache 4.0 ช่วยสนับสนุน QLC ได้อย่างไร

QLC SSD จะได้รับประโยชน์จากการมีแคชแบบ SLC ที่ช่วยรักษาประสิทธิภาพให้คงที่และเพิ่มความทนทานในการใช้งาน

ด้วยเทคโนโลยี SANDISK nCache 4.0 ล่าสุด ร่วมกับ SANDISK BiCS QLC CBA NAND รุ่นที่ 8 ผสานรวมเทคโนโลยีชั้นนำใน SSD ของเรา เพื่อช่วยรับประกันประสิทธิภาพสูงที่ต่อเนื่อง การใช้พลังงานต่ำ และความทนทานสำหรับภาระงานบนพีซี โดยมีหลักการทำงานดังนี้

แผนภาพแสดงการทำงานของ SanDisk nCache 4.0 ที่ใช้แคช SLC ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับ QLC SSD

ความเร็วที่มาพร้อมกับความจุ

SANDISK nCache 4.0 มาพร้อมเทคโนโลยีไฮบริด SLC Write Cache ซึ่งจะเขียนข้อมูลที่ถูกเรียกใช้บ่อยด้วยความเร็วสูงลงบนแคช SLC ก่อนจะย้ายข้อมูลไปยัง QLC ในช่วงที่เครื่องว่าง โดย nCache 4.0 จะช่วยเพิ่มทั้งความเร็วการตอบสนองในการเขียนข้อมูลระยะสั้น (Burst-write) และประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลอย่างต่อเนื่องให้มีประสิทธิภาพสูงสุด

ระบบแคชอัจฉริยะ

ด้วยการจัดการวิธีเขียนข้อมูลลงบน QLC NAND อย่างชาญฉลาด Sandisk nCache 4.0 จึงช่วยยืดอายุการใช้งานของ QLC SSD ได้อย่างมีประสิทธิภาพ วิธีนี้ช่วยลดการสึกหรอของเซลล์หน่วยความจำและช่วยปกป้องข้อมูลของคุณ

รองรับการใช้งานที่หลากหลาย

ไม่ว่าคุณจะสร้างสรรค์คอนเทนต์หรือทำงานในโปรเจกต์ระดับมืออาชีพชิ้นต่อไป Sandisk nCache 4.0 พร้อมมอบประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลระยะสั้น (Burst-write) ความเร็วสูงให้กับ QLC SSD

ความจุที่คุ้มค่า คุ้มราคา

การผสาน Sandisk nCache 4.0 เข้ากับ QLC ช่วยให้ได้ไดรฟ์ที่มีความจุสูงขึ้นในราคาที่เข้าถึงได้ง่ายขึ้น ช่วยให้ผู้ใช้จัดเก็บข้อมูลได้มากขึ้นโดยไม่ต้องสูญเสียประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือ 

พบกับ QLC SSD

SANDISK PC SN5100S NVMe™ SSD

ประสิทธิภาพสูง ประหยัดพลังงาน และมอบความน่าเชื่อถือที่มั่นใจได้ — SANDISK PC SN5100S NVMe SSD มอบความจุในแบบ QLC โดยไม่สูญเสียประสิทธิภาพการทำงาน ตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสำหรับแพลตฟอร์มพีซีระดับเริ่มต้นและระดับทั่วไป

สำรวจ
ไดรฟ์ SANDISK PC SN5100S

ความจุสูง คุ้มค่าเกินราคา

สัมผัส QLC ความจุสูงที่แสนคุ้มค่า และมีความน่าเชื่อถือสูง โดยไม่ต้องแลกกับประสิทธิภาพ มีความจุให้เลือกสูงสุด 2 TB2 บนขนาด M.2 2280 แบบติดตั้งชิปหน้าเดียว

ยกระดับและเพิ่มประสิทธิภาพขั้นตอนการทำงานของคุณ

เทคโนโลยีแคชการเขียนแบบไฮบริด Sandisk nCache 4.0 SLC ช่วยเร่งประสิทธิภาพการทำงานโดยไม่สูญเสียความทนทาน

ประสิทธิภาพในการรับมือกับภาระงานที่หนักหน่วง

ลุยงานหนักอย่างลื่นไหลด้วย PCIe® Gen4.0 และ NVMe™ 2.0 ที่มีความเร็วในการอ่านสูงสุด 7,300 MB/s1 (รุ่นความจุ 1024 GB2 และ 2048 GB2)

ปกป้องข้อมูลสำคัญอย่างปลอดภัย

ระบบความปลอดภัยของ TCG Opal™ 2.02 ช่วยเสริมเกราะป้องกันอีกขั้นให้ไดรฟ์นี้ (เฉพาะรุ่นที่มีตัวเลือกการเข้ารหัสในตัว) เพื่อความอุ่นใจยิ่งขึ้น

ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีเยี่ยม

ประหยัดพลังงานให้กับอุปกรณ์ของคุณขณะใช้งาน เพิ่มขึ้นสูงสุดถึง 30% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า5

SANDISK Optimus™ 5100 NVMe™ SSD สำหรับผู้บริโภคทั่วไป

SANDISK Optimus™ 5100 NVMe™ SSD

อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล QLC ประสิทธิภาพสูง ประหยัดพลังงาน และเชื่อถือได้ SANDISK Optimus™ 5100 NVMe™ SSD ช่วยให้คุณจัดการไฟล์ขนาดใหญ่ เวิร์กโฟลว์ที่ซับซ้อน และการทำงานหลายอย่างพร้อมกันได้อย่างเต็มประสิทธิภาพ โดยไม่ต้องแลกกับสิ่งใด การอัปเกรดที่สมบูรณ์แบบสำหรับแล็ปท็อปของมืออาชีพและคอนเทนต์ครีเอเตอร์

สำรวจ
SANDISK Optimus 5100 NVMe SSD

การผสานประสิทธิภาพและความคุ้มค่าได้อย่างลงตัว

จุคอนเทนต์ได้มากกว่าเดิมด้วยเทคโนโลยี QLC ความจุสูงในราคาประหยัดคุ้มค่า มีความจุให้เลือกสูงสุด 4 TB2 บนขนาด M.2 2280 แบบติดตั้งชิปหน้าเดียว

เพิ่มประสิทธิภาพให้ขั้นตอนการทำงานของคุณ

เทคโนโลยีแคชการเขียนแบบไฮบริด Sandisk nCache 4.0 SLC ช่วยเร่งประสิทธิภาพการทำงานเมื่อต้องสลับใช้งานหลายแอปพลิเคชัน หรือขณะคัดลอกไฟล์และโฟลเดอร์โปรเจกต์ขนาดใหญ่

ประสิทธิภาพในการรับมือกับภาระงานที่หนักหน่วง

ยกระดับการทำงานด้าน AI ของคุณ ด้วย ความเร็วในการอ่านระดับ  PCIe® Gen4.0 สูงสุดถึง 7,100 MB/s1 (รุ่นความจุ 1 TB2 และ 2 TB2)

การรับประกันนาน 5 ปี

อุ่นใจยิ่งขึ้นด้วยการรับประกันแบบจำกัดเงื่อนไขนาน 5 ปีจาก  Sandisk   3 พร้อมค่าความทนทานในการเขียนข้อมูลสูงสุดถึง 1,200 TBW4 (รุ่นความจุ 4 TB2)

ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีเยี่ยม

ปิดโปรเจกต์ได้เร็วขึ้นแม้อยู่นอกสถานที่ ด้วยประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้นสูงสุดถึง 50% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า6

รายละเอียดข้อมูล

  1. อิงตามความเร็วในการอ่าน เว้นแต่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น 1 MB/s = 1 ล้านไบต์ต่อวินาที อ้างอิงจากการทดสอบภายใน ประสิทธิภาพการทำงานอาจต่ำกว่านี้ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์ เงื่อนไขการใช้งาน ความจุของไดรฟ์ และปัจจัยอื่นๆ
  2. 1 GB = 1 พันล้านไบต์และ 1 TB = 1 ล้านล้านไบต์ ความจุในการใช้งานจริงอาจจะน้อยกว่านี้ขึ้นอยู่กับสภาพแวดล้อมในการปฏิบัติงาน
  3. 5 ปีหรือขีดจำกัดความทนทานสูงสุด (TBW) แล้วแต่อย่างใดจะถึงก่อน โปรดดูที่ support.sandisk.com สำหรับรายละเอียดการรับประกันของแต่ละภูมิภาค
  4. TBW (เทราไบต์ที่เขียนได้) ค่านี้คำนวณขึ้นโดยใช้ภาระงานของไคลเอนต์ JEDEC (JESD219) และจะแตกต่างกันไปตามความจุของผลิตภัณฑ์ MTTF = เวลาเฉลี่ยก่อนการเสียหายอ้างอิงจากการทดสอบภายในโดยใช้การทดสอบการเน้นส่วนแบบ Telcordia™ (Telcordia SR-332, GB, 25°C) MTTF อ้างอิงจากกลุ่มตัวอย่างและประมาณการโดยการวัดค่าทางสถิติและอัลกอริธึมแบบเร่ง MTTF ไม่ได้เป็นการคาดการณ์ความเชื่อถือได้ของแต่ละไดรฟ์ และไม่มีข้อความการรับประกัน
  5. เมื่อเปรียบเทียบกับ SANDISK PC SN5000S SSD รุ่นความจุ 1 TB และ 2 TB ของเรา ประสิทธิภาพอ้างอิงจากประสิทธิภาพการอ่านตามลำดับ; 1 GB/s = 1 พันล้านไบต์ต่อวินาที ประสิทธิภาพการใช้พลังงานอ้างอิงจากการวัดกำลังไฟสูงสุดเฉลี่ยในแต่ละวินาทีระหว่างการอ่านข้อมูลแบบตามลำดับ ประสิทธิภาพและการใช้พลังงานอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์ สภาพแวดล้อมการใช้งาน ความจุของไดรฟ์ และปัจจัยอื่นๆ
  6. เมื่อเปรียบเทียบกับ WD Blue® SN5000 NVMe 2 TB SSD ประสิทธิภาพการใช้พลังงานอ้างอิงจากการวัดกำลังไฟสูงสุดเฉลี่ยในแต่ละวินาทีระหว่างการอ่านข้อมูลแบบตามลำดับ ประสิทธิภาพการใช้พลังงานอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์ สภาพแวดล้อมการใช้งาน ความจุของไดรฟ์ และปัจจัยอื่นๆ
เปรียบเทียบ