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- 内蔵SSD
2026年6月28日(日)まで - メモリーカード
2026年7月20日(月)まで
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Commercial e.MMC
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iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
... 詳細iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
... 詳細iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
... 詳細iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
... 詳細iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
... 詳細iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
... 詳細iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
... 詳細iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
... 詳細iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
... 詳細
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要求された製品数量は使用できません
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Offer Price {{inventory.prices.sale.amountFormatted}}
Actual Price {{inventory.prices.list.amountFormatted}}
推定納期 :
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販売価格
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Offer Price {{inventory.prices.sale.amountFormatted}} / {{inventory.prices.sale.billingPlanName}}
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推定納期 :
有効な数値を入力してください
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Up to 310MB/s
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e.MMC 5.1
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1年間の製品保証
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モバイルおよび商用デバイス向けの包括的なフラッシュストレージポートフォリオ
iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
モバイルおよび商用デバイス向けの包括的なフラッシュストレージポートフォリオ
iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
モバイルおよび商用デバイス向けの包括的なフラッシュストレージポートフォリオ
iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
モバイルおよび商用デバイス向けの包括的なフラッシュストレージポートフォリオ
iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
モバイルおよび商用デバイス向けの包括的なフラッシュストレージポートフォリオ
iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
モバイルおよび商用デバイス向けの包括的なフラッシュストレージポートフォリオ
iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
モバイルおよび商用デバイス向けの包括的なフラッシュストレージポートフォリオ
iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
モバイルおよび商用デバイス向けの包括的なフラッシュストレージポートフォリオ
iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
モバイルおよび商用デバイス向けの包括的なフラッシュストレージポートフォリオ
iNAND CL EM132、CL EM122、MC EM141 eMMC組み込みフラッシュドライブ（EFD）は、モバイルおよび商用デバイスメーカーに新天地を切り開くための自由とアジリティをもたらします。iNAND製品はさまざまなユースケースで高い信頼性、耐久性、拡張性を提供します。
特長
● e.MMC 5.1 HS400
● iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
● iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
アプリケーションおよびワークロード
● スマートフォン
● タブレット
● 拡張現実
● バーチャルリアリティ
● 人工知能
● 監視システム
● ドローン
● IoTゲートウェイ
● ファクトリーオートメーション
● ネットワーキング
特長
● e.MMC 5.1 HS400
● iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
● iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
アプリケーションおよびワークロード
● スマートフォン
● タブレット
● 拡張現実
● バーチャルリアリティ
● 人工知能
● 監視システム
● ドローン
● IoTゲートウェイ
● ファクトリーオートメーション
● ネットワーキング
特長
● e.MMC 5.1 HS400
● iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
● iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
アプリケーションおよびワークロード
● スマートフォン
● タブレット
● 拡張現実
● バーチャルリアリティ
● 人工知能
● 監視システム
● ドローン
● IoTゲートウェイ
● ファクトリーオートメーション
● ネットワーキング
特長
● e.MMC 5.1 HS400
● iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
● iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
アプリケーションおよびワークロード
● スマートフォン
● タブレット
● 拡張現実
● バーチャルリアリティ
● 人工知能
● 監視システム
● ドローン
● IoTゲートウェイ
● ファクトリーオートメーション
● ネットワーキング
特長
● e.MMC 5.1 HS400
● iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
● iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
アプリケーションおよびワークロード
● スマートフォン
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● 拡張現実
● バーチャルリアリティ
● 人工知能
● 監視システム
● ドローン
● IoTゲートウェイ
● ファクトリーオートメーション
● ネットワーキング
特長
● e.MMC 5.1 HS400
● iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
● iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
アプリケーションおよびワークロード
● スマートフォン
● タブレット
● 拡張現実
● バーチャルリアリティ
● 人工知能
● 監視システム
● ドローン
● IoTゲートウェイ
● ファクトリーオートメーション
● ネットワーキング
特長
● e.MMC 5.1 HS400
● iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
● iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
アプリケーションおよびワークロード
● スマートフォン
● タブレット
● 拡張現実
● バーチャルリアリティ
● 人工知能
● 監視システム
● ドローン
● IoTゲートウェイ
● ファクトリーオートメーション
● ネットワーキング
特長
● e.MMC 5.1 HS400
● iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
● iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
アプリケーションおよびワークロード
● スマートフォン
● タブレット
● 拡張現実
● バーチャルリアリティ
● 人工知能
● 監視システム
● ドローン
● IoTゲートウェイ
● ファクトリーオートメーション
● ネットワーキング
特長
● e.MMC 5.1 HS400
● iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
● iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
アプリケーションおよびワークロード
● スマートフォン
● タブレット
● 拡張現実
● バーチャルリアリティ
● 人工知能
● 監視システム
● ドローン
● IoTゲートウェイ
● ファクトリーオートメーション
● ネットワーキング
仕様
容量
8GB
シーケンシャル読み出しパフォーマンス
Up to 310MB/s
シーケンシャル書き込みパフォーマンス
Up to 150MB/s
ランダム読み出し最大
Up to 20K IOPS
ランダム書き込み最大
Up to 12.5K IOPS
インターフェース
e.MMC 5.1
Warranty
1年間の製品保証
耐久性 (TBW)
Up to 693
サイズ（LxWxH）
11.5mm x 13mm x 0.8mm
動作時の温度範囲
-25°C to 85°C
製品の特徴
- e.MMC 5.1 HS400
- iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
- iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
仕様
容量
16GB
シーケンシャル読み出しパフォーマンス
Up to 310MB/s
シーケンシャル書き込みパフォーマンス
Up to 150MB/s
ランダム読み出し最大
Up to 20K IOPS
ランダム書き込み最大
Up to 12.5K IOPS
インターフェース
e.MMC 5.1
Warranty
1年間の製品保証
耐久性 (TBW)
Up to 693
サイズ（LxWxH）
11.5mm x 13mm x 0.8mm
動作時の温度範囲
-25°C to 85°C
製品の特徴
- e.MMC 5.1 HS400
- iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
- iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
仕様
容量
16GB
シーケンシャル読み出しパフォーマンス
Up to 310MB/s
シーケンシャル書き込みパフォーマンス
Up to 150MB/s
ランダム読み出し最大
Up to 20K IOPS
ランダム書き込み最大
Up to 12.5K IOPS
インターフェース
e.MMC 5.1
Warranty
1年間の製品保証
耐久性 (TBW)
Up to 693
サイズ（LxWxH）
11.5mm x 13mm x 0.8mm
動作時の温度範囲
-25°C to 85°C
製品の特徴
- e.MMC 5.1 HS400
- iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
- iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
仕様
容量
32GB
シーケンシャル読み出しパフォーマンス
Up to 310MB/s
シーケンシャル書き込みパフォーマンス
Up to 150MB/s
ランダム読み出し最大
Up to 20K IOPS
ランダム書き込み最大
Up to 12.5K IOPS
インターフェース
e.MMC 5.1
Warranty
1年間の製品保証
耐久性 (TBW)
Up to 693
サイズ（LxWxH）
11.5mm x 13mm x 1mm
動作時の温度範囲
-25°C to 85°C
製品の特徴
- e.MMC 5.1 HS400
- iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
- iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
仕様
容量
32GB
シーケンシャル読み出しパフォーマンス
Up to 310MB/s
シーケンシャル書き込みパフォーマンス
Up to 150MB/s
ランダム読み出し最大
Up to 20K IOPS
ランダム書き込み最大
Up to 12.5K IOPS
インターフェース
e.MMC 5.1
Warranty
1年間の製品保証
耐久性 (TBW)
Up to 693
サイズ（LxWxH）
11.5mm x 13mm x 1.2mm
動作時の温度範囲
-25°C to 85°C
製品の特徴
- e.MMC 5.1 HS400
- iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
- iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
仕様
容量
64GB
シーケンシャル読み出しパフォーマンス
Up to 310MB/s
シーケンシャル書き込みパフォーマンス
Up to 150MB/s
ランダム読み出し最大
Up to 20K IOPS
ランダム書き込み最大
Up to 12.5K IOPS
インターフェース
e.MMC 5.1
Warranty
1年間の製品保証
耐久性 (TBW)
Up to 693
サイズ（LxWxH）
11.5mm x 13mm x 1.2mm
動作時の温度範囲
-25°C to 85°C
製品の特徴
- e.MMC 5.1 HS400
- iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
- iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
仕様
容量
64GB
シーケンシャル読み出しパフォーマンス
Up to 310MB/s
シーケンシャル書き込みパフォーマンス
Up to 150MB/s
ランダム読み出し最大
Up to 20K IOPS
ランダム書き込み最大
Up to 12.5K IOPS
インターフェース
e.MMC 5.1
Warranty
1年間の製品保証
耐久性 (TBW)
Up to 693
サイズ（LxWxH）
11.5mm x 13mm x 1.2mm
動作時の温度範囲
-25°C to 85°C
製品の特徴
- e.MMC 5.1 HS400
- iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
- iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
仕様
容量
128GB
シーケンシャル読み出しパフォーマンス
Up to 310MB/s
シーケンシャル書き込みパフォーマンス
Up to 150MB/s
ランダム読み出し最大
Up to 20K IOPS
ランダム書き込み最大
Up to 12.5K IOPS
インターフェース
e.MMC 5.1
Warranty
1年間の製品保証
耐久性 (TBW)
Up to 693
サイズ（LxWxH）
動作時の温度範囲
-25°C to 85°C
製品の特徴
- e.MMC 5.1 HS400
- iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
- iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
仕様
容量
256 GB
シーケンシャル読み出しパフォーマンス
Up to 310MB/s
シーケンシャル書き込みパフォーマンス
Up to 150MB/s
ランダム読み出し最大
Up to 20K IOPS
ランダム書き込み最大
Up to 12.5K IOPS
インターフェース
e.MMC 5.1
Warranty
1年間の製品保証
耐久性 (TBW)
Up to 693
サイズ（LxWxH）
動作時の温度範囲
-25°C to 85°C
製品の特徴
- e.MMC 5.1 HS400
- iNAND MC EM141 EFD：SmartSLCによる最新の96レイヤー3D NANDテクノロジーを採用
- iNAND CL EM132およびCL EM122 EFD：商用グレードのeMLCフラッシュストレージによる、高いデータ完全性
モデル番号
モデル番号
評価とレビュー
サポートとリソース
その他のドキュメントについては、次のリソースライブラリをご覧ください。
補足
- ストレージ容量の単位は、1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイトです。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 記載されている速度は最大です。値は社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ドライブの容量、ホスト機器、OS、アプリケーションにより異なる場合があります。
- ストレージ容量の単位は、1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイトです。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 記載されている速度は最大です。値は社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ドライブの容量、ホスト機器、OS、アプリケーションにより異なる場合があります。
- ストレージ容量の単位は、1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイトです。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 記載されている速度は最大です。値は社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ドライブの容量、ホスト機器、OS、アプリケーションにより異なる場合があります。
- ストレージ容量の単位は、1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイトです。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 記載されている速度は最大です。値は社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ドライブの容量、ホスト機器、OS、アプリケーションにより異なる場合があります。
- ストレージ容量の単位は、1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイトです。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 記載されている速度は最大です。値は社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ドライブの容量、ホスト機器、OS、アプリケーションにより異なる場合があります。
- ストレージ容量の単位は、1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイトです。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 記載されている速度は最大です。値は社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ドライブの容量、ホスト機器、OS、アプリケーションにより異なる場合があります。
- ストレージ容量の単位は、1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイトです。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 記載されている速度は最大です。値は社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ドライブの容量、ホスト機器、OS、アプリケーションにより異なる場合があります。
- ストレージ容量の単位は、1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイトです。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 記載されている速度は最大です。値は社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ドライブの容量、ホスト機器、OS、アプリケーションにより異なる場合があります。
- ストレージ容量の単位は、1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイトです。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 記載されている速度は最大です。値は社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ドライブの容量、ホスト機器、OS、アプリケーションにより異なる場合があります。