QLCへのこだわり

サンディスクの第8世代BiCS QLC CBA NANDが、SANDISK PC SN5100S NVMe SSDなどの新しいQLC SSDの信頼性を損なうことなく、パフォーマンス、ビット密度、電力効率をどのように向上させているかご覧ください。

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QLCとは?

メモリーセルはフラッシュNANDストレージを構成する基本要素です。初期のメモリーセルは、1ビット、つまり1か0だけを保存していました。これをシングルレベルセル(SLC)と呼びます。

フラッシュストレージが高度化するにつれて、エンジニアは各メモリーセルにビットを追加する方法を発見しました。マルチレベルセル(MLC)は2ビットを格納し、トリプルレベルセル(TLC)は3ビットを格納できます。

クアッドレベルセル、つまりQLCは、メモリーセルあたり4ビットを格納できます。これはTLCと比べ33%多く保存できることになります。

セルあたり1~4ビットを格納するSLC、MLC、TLC、QLCフラッシュメモリーを示す図

第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NAND

フラッシュメモリーは、層数の増加とアーキテクチャの革新によって進化を続けています。例えば、第6世代のSANDISK BiCS NANDは162層のメモリーセルを構築し、CMOS Under the Arrayを単一のウエハーとして使用しています。一方、第8世代のSANDISK BiCS NANDはCMOS Bonded to Array(CBA)と218層のメモリーセルを採用し、パフォーマンスと消費電力を大幅に改善しています。さらに、第8世代のSANDISK BiCS NANDは、前世代と比較してビット密度を50%以上向上させ、横方向および縦方向のシュリンク技術により、より小さな物理ダイに多くのデータを格納します。

QLC NANDでは、CBAがSSDの可能性をさらに広げます。パフォーマンスと電力効率の向上により、QLCベースのSSDは、ビジネスPCおよびコンシューマーPCに求められる大容量とアプリケーションワークロードの高いパフォーマンスを提供し、ノートパソコンやモバイルデバイスのバッテリー駆動時間も延長します。

QLCとTLCの違い

QLCとTLCはどちらもデータストレージにおける重要なテクノロジーです。

OEMやその他の関係者にとっての最適なアプローチは、それぞれのテクノロジーが持つ強みにより異なります。そして、ユーザーにとって最良の結果を得るには、QLCとTLCの違いを理解することが重要です。

大容量化

QLCは、セルあたり4ビットを格納することでビット密度を高め、セルあたり3ビットを格納するTLCよりも大容量化できます。

コスト効率

QLCはTLCに比べてセルあたりの容量が大きく、コストも抑えられるので、大容量ソリューションをより利用しやすくします。

用途別のメリット

QLCは、TLCに近いパフォーマンスを実現するほど大幅に進化しており、生産性スイート、コンテンツ制作ワークフロー、ゲームなど、コンシューマー向けと商用のさまざまな用途で優れた性能を発揮します。

バランスの取れたソリューション

サンディスクはQLCの容量のメリットを生かしつつ、従来の耐久性とパフォーマンスの課題にも対応しています。

第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NANDに適したユーザーとは?

第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NANDを採用したQLC SSDは、エントリーレベルからミッドレンジまでのPCに最適なストレージで、大容量、優れたパフォーマンス、高い電力効率を兼ね備えています。これらのSSDは、生産性向上、コンテンツ制作、ゲームなど、次世代のビジネス向けおよびコンシューマー向けアプリケーションを強化し、優れたユーザーエクスペリエンスを提供します。

システムインテグレーター、PCメーカー、DIYユーザーは、このQLC SSDをビジネス向けおよびコンシューマー向けクライアントPCにスムーズに組み込めます。

第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NANDはコスト効率に優れているか?

第8世代のSANDISK QLC CBA NANDは、SANDISK TLC NANDよりメモリーセルあたりに格納できるビット数が多いため、ビット密度が33%向上しています。QLC CBA NANDはTLC NANDよりも記憶密度が高く、GBあたりのコストを削減できます。

そのため、第8世代のSANDISK QLC CBAベースのSSDは、予算に合ったストレージや、増え続けるデータを格納できる大容量のストレージを求めるシステムインテグレーター、PCメーカー、DIYユーザーにとって、コスト効率に優れたソリューションとなります。

第8世代のSandisk BiCS QLC CBA NANDのパフォーマンスは?

サンディスクの第8世代のBiCS QLC NANDは、PCメーカーとコンシューマーが、信頼性を維持しながらTLC製品と同等の速度でQLCのビット密度を活用できるようにします。 ユーザーが作成するコンテンツや保存するファイルのサイズが増え、PCストレージのさらなる大容量化が求められています。サンディスクの第8世代のBiCS QLC NANDにより、当社のSSDは多くのクライアントワークロードでTLC SSDに匹敵するパフォーマンスを発揮します。

チャートを参照:PCMark 10の結果から、第8世代BiCS NANDを搭載したSANDISK Optimus 5100 NVMe SSDは、当社のTLCベースのSSDを上回るパフォーマンスを発揮することがわかります。

サンディスク2TB QLC SSDが737 MB/秒、サンディスク2TB TLC SSDが731 MB/秒のPCMark 10スコアを示す棒グラフ

SANDISK nCache 4.0テクノロジーはQLCにどのようなメリットをもたらすか?

QLC SSDは、SLCキャッシュにより、パフォーマンスの維持と耐久性の向上が期待できます。

最新のSANDISK nCache 4.0テクノロジーと第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NANDを採用したサンディスクのSSDは、最先端テクノロジーを組み合わせることで、PCワークロードに求められる持続的な高性能、低消費電力、高い耐久性を実現します。方法は次のとおりです。

SLCキャッシュを使用してQLC SSDのパフォーマンスを向上させるSanDisk nCache 4.0を示す図

スピードと容量を併せ持つ

SANDISK nCache 4.0は、ハイブリッドSLC書き込みキャッシュテクノロジーを採用し、ホットデータをまずSLCキャッシュに高速で書き込んだ後、アイドル時にそのデータをQLCに移動します。nCache 4.0が、バースト書き込みの応答性と持続書き込みパフォーマンスを最適化します。

スマートキャッシュ

SANDISK nCache 4.0は、QLC NANDへのデータの書き込みをインテリジェントに制御することで、QLC SSDの寿命を延ばします。これにより、メモリーセルの消耗を最小限に抑え、データを保護します。

さまざまなユースケース

コンテンツ制作でも、次のプロフェッショナルプロジェクトでも、SANDISK nCache 4.0がQLC SSDのバースト書き込みを高速化します。

コスト効率の高い容量

SANDISK nCache 4.0とQLCを組み合わせることで、手頃な価格で大容量ドライブを提供できるため、ユーザーはパフォーマンスや信頼性を維持したまま、より多くのデータを保存できます。 

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SANDISK PC SN5100S NVMe SSD

ハイパフォーマンス、高い電力効率、優れた信頼性を備えたSANDISK PC SN5100S NVMe SSDは、パフォーマンスを維持したまま、QLCによる大容量を実現します。エントリーからメインストリームまでのPCプラットフォームに最適です。

SANDISK PC SN5100Sドライブ

大容量と優れたコスト効率

大容量でコスト効率に優れたQLCと、高い信頼性を兼ね備えています。M.2 2280片面実装で最大2TB2を提供します。

ワークフローを最適化

SANDISK nCache 4.0ハイブリッドSLC書き込みキャッシュテクノロジーは、耐久性を損なうことなくパフォーマンスを向上させます。

高負荷のワークロードにも対応したパフォーマンス

PCIe® Gen4.0とNVMe 2.0により、最大7,300MB/秒1の読み出し速度で高負荷のワークロードを処理します(1024GB2および2048GB2モデル)。

適切なユーザーだけがデータにアクセス

TCG Opal 2.02セキュリティにより、このドライブ(自己暗号化オプションのみ)に保護機能を追加し、さらに安心して使用できます。

優れた電力効率

使用中のデバイスの電力効率が旧世代に比べ最大30%向上します。5

コンシューマー向けSANDISK Optimus 5100 NVMe SSD

SANDISK Optimus 5100 NVMe SSD

ハイパフォーマンス、優れた電力効率、信頼性の高いQLCストレージを備えたSANDISK Optimus 5100 NVMe SSDなら、大容量ファイル、複雑なワークフロー、マルチタスクもスムーズに処理できます。プロフェッショナルやコンテンツクリエイターが使用するノートパソコンのアップグレードに最適です。

SANDISK Optimus 5100 NVMe SSD

両方を併せ持つ

大容量でコスト効率に優れたQLCで、さらに多くのコンテンツを保存できます。M.2 2280片面実装で最大4TB2を提供します。

ワークフローを最適化

SANDISK nCache 4.0ハイブリッドSLC書き込みキャッシュテクノロジーは、複数のアプリケーションを使ったマルチタスクや、大容量のプロジェクトファイルやフォルダのコピー時のパフォーマンスを向上させます。

高負荷のワークロードにも対応したパフォーマンス

最大7,100MB/秒1のPCIe® Gen4.0の読み出し速度で、AI対応ワークフローをスムーズに処理します(1TB2および2TB2モデル)。

5年保証

信頼のサンディスクの5年間の製品保証3が付帯し、最大1,200TBW4の耐久性(4TB2モデル)を備えているので、安心して使用できます。

優れた電力効率

前世代と比べて電力効率が最大50%向上し、外出先でもプロジェクトをすばやく進められます。6

注記

  1. 特に明記されていない限り、読み出し速度に基づきます。1MB/秒 = 100万バイト/秒。社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ホスト機器、使用状況、ドライブの容量、その他の要因により異なる場合があります。
  2. 1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイト。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
  3. 5年間または最大耐久性(TBW)限度(どちらか早いほう)。保証に関する地域別の詳細は、support.sandisk.comをご覧ください。
  4. JEDECクライアントワークロード(JESD219)により算出されたTBW(テラバイト書き込み)値です。製品容量により異なります。MTTF = 平均故障時間。Telcordia™ストレスパーツテスト(Telcordia SR-332、GF、25°C)を用いた社内テストに基づきます。MTTFはサンプル集団に基づき、統計的測定および加速アルゴリズムによって推定されています。MTTFは個々のドライブの信頼性を予測し、品質を保証するものではありません。
  5. SANDISK PC SN5000S 1TBおよび2TB SSDとの比較。パフォーマンスはシーケンシャル読み出しパフォーマンスに基づきます。1GB/秒 = 10億バイト/秒。電力効率は、シーケンシャル読み出し中に1秒ごとに測定した最大消費電力の平均値に基づきます。パフォーマンスと電力効率は、ホスト機器、使用状況、ドライブの容量、その他の要因により異なる場合があります。
  6. WD Blue® SN5000 NVMe 2TB SSDとの比較。電力効率は、シーケンシャル読み出し中に1秒ごとに測定した最大消費電力の平均値に基づきます。電力効率は、ホスト機器、使用状況、ドライブの容量、その他の要因により異なる場合があります。
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