パフォーマンスを重視した大容量ストレージ
QLC NANDは、セルあたりに格納できるデータ量を増やし、コンシューマーおよび商用用途で大容量化と効率的なパフォーマンスを実現します。
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第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NAND
フラッシュメモリーは、層数の増加とアーキテクチャの革新によって進化を続けています。例えば、第6世代のSANDISK BiCS NANDは162層のメモリーセルを構築し、CMOS Under the Arrayを単一のウエハーとして使用しています。一方、第8世代のSANDISK BiCS NANDはCMOS Bonded to Array（CBA）と218層のメモリーセルを採用し、パフォーマンスと消費電力を大幅に改善しています。さらに、第8世代のSANDISK BiCS NANDは、前世代と比較してビット密度を50%以上向上させ、横方向および縦方向のシュリンク技術により、より小さな物理ダイに多くのデータを格納します。
QLC NANDでは、CBAがSSDの可能性をさらに広げます。パフォーマンスと電力効率の向上により、QLCベースのSSDは、ビジネスPCおよびコンシューマーPCに求められる大容量とアプリケーションワークロードの高いパフォーマンスを提供し、ノートパソコンやモバイルデバイスのバッテリー駆動時間も延長します。
QLCとTLCの違い
QLCとTLCはどちらもデータストレージにおける重要なテクノロジーです。
OEMやその他の関係者にとっての最適なアプローチは、それぞれのテクノロジーが持つ強みにより異なります。そして、ユーザーにとって最良の結果を得るには、QLCとTLCの違いを理解することが重要です。
大容量化
QLCは、セルあたり4ビットを格納することでビット密度を高め、セルあたり3ビットを格納するTLCよりも大容量化できます。
コスト効率
QLCはTLCに比べてセルあたりの容量が大きく、コストも抑えられるので、大容量ソリューションをより利用しやすくします。
用途別のメリット
QLCは、TLCに近いパフォーマンスを実現するほど大幅に進化しており、生産性スイート、コンテンツ制作ワークフロー、ゲームなど、コンシューマー向けと商用のさまざまな用途で優れた性能を発揮します。
バランスの取れたソリューション
サンディスクはQLCの容量のメリットを生かしつつ、従来の耐久性とパフォーマンスの課題にも対応しています。
第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NANDに適したユーザーとは？
第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NANDを採用したQLC SSDは、エントリーレベルからミッドレンジまでのPCに最適なストレージで、大容量、優れたパフォーマンス、高い電力効率を兼ね備えています。これらのSSDは、生産性向上、コンテンツ制作、ゲームなど、次世代のビジネス向けおよびコンシューマー向けアプリケーションを強化し、優れたユーザーエクスペリエンスを提供します。
システムインテグレーター、PCメーカー、DIYユーザーは、このQLC SSDをビジネス向けおよびコンシューマー向けクライアントPCにスムーズに組み込めます。
第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NANDはコスト効率に優れているか？
第8世代のSANDISK QLC CBA NANDは、SANDISK TLC NANDよりメモリーセルあたりに格納できるビット数が多いため、ビット密度が33%向上しています。QLC CBA NANDはTLC NANDよりも記憶密度が高く、GBあたりのコストを削減できます。
そのため、第8世代のSANDISK QLC CBAベースのSSDは、予算に合ったストレージや、増え続けるデータを格納できる大容量のストレージを求めるシステムインテグレーター、PCメーカー、DIYユーザーにとって、コスト効率に優れたソリューションとなります。
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第8世代のSandisk BiCS QLC CBA NANDのパフォーマンスは？
サンディスクの第8世代のBiCS QLC NANDは、PCメーカーとコンシューマーが、信頼性を維持しながらTLC製品と同等の速度でQLCのビット密度を活用できるようにします。 ユーザーが作成するコンテンツや保存するファイルのサイズが増え、PCストレージのさらなる大容量化が求められています。サンディスクの第8世代のBiCS QLC NANDにより、当社のSSDは多くのクライアントワークロードでTLC SSDに匹敵するパフォーマンスを発揮します。
チャートを参照：PCMark 10の結果から、第8世代BiCS NANDを搭載したSANDISK Optimus™ 5100 NVMe™ SSDは、当社のTLCベースのSSDを上回るパフォーマンスを発揮することがわかります。
SANDISK nCache 4.0テクノロジーはQLCにどのようなメリットをもたらすか？
QLC SSDは、SLCキャッシュにより、パフォーマンスの維持と耐久性の向上が期待できます。
最新のSANDISK nCache 4.0テクノロジーと第8世代のSANDISK BiCS QLC CBA NANDを採用したサンディスクのSSDは、最先端テクノロジーを組み合わせることで、PCワークロードに求められる持続的な高性能、低消費電力、高い耐久性を実現します。方法は次のとおりです。
スピードと容量を併せ持つ
SANDISK nCache 4.0は、ハイブリッドSLC書き込みキャッシュテクノロジーを採用し、ホットデータをまずSLCキャッシュに高速で書き込んだ後、アイドル時にそのデータをQLCに移動します。nCache 4.0が、バースト書き込みの応答性と持続書き込みパフォーマンスを最適化します。
スマートキャッシュ
SANDISK nCache 4.0は、QLC NANDへのデータの書き込みをインテリジェントに制御することで、QLC SSDの寿命を延ばします。これにより、メモリーセルの消耗を最小限に抑え、データを保護します。
さまざまなユースケース
コンテンツ制作でも、次のプロフェッショナルプロジェクトでも、SANDISK nCache 4.0がQLC SSDのバースト書き込みを高速化します。
コスト効率の高い容量
SANDISK nCache 4.0とQLCを組み合わせることで、手頃な価格で大容量ドライブを提供できるため、ユーザーはパフォーマンスや信頼性を維持したまま、より多くのデータを保存できます。
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コンシューマー向けSANDISK Optimus™ 5100 NVMe™ SSD
注記
- 特に明記されていない限り、読み出し速度に基づきます。1MB/秒 = 100万バイト/秒。社内テストに基づきます。パフォーマンスは、ホスト機器、使用状況、ドライブの容量、その他の要因により異なる場合があります。
- 1GB = 10億バイト、1TB = 1兆バイト。実際の有効容量は、動作環境により少なくなる場合があります。
- 5年間または最大耐久性（TBW）限度（どちらか早いほう）。保証に関する地域別の詳細は、support.sandisk.comをご覧ください。
- JEDECクライアントワークロード（JESD219）により算出されたTBW（テラバイト書き込み）値です。製品容量により異なります。MTTF = 平均故障時間。Telcordia™ストレスパーツテスト（Telcordia SR-332、GF、25°C）を用いた社内テストに基づきます。MTTFはサンプル集団に基づき、統計的測定および加速アルゴリズムによって推定されています。MTTFは個々のドライブの信頼性を予測し、品質を保証するものではありません。
- SANDISK PC SN5000S 1TBおよび2TB SSDとの比較。パフォーマンスはシーケンシャル読み出しパフォーマンスに基づきます。1GB/秒 = 10億バイト/秒。電力効率は、シーケンシャル読み出し中に1秒ごとに測定した最大消費電力の平均値に基づきます。パフォーマンスと電力効率は、ホスト機器、使用状況、ドライブの容量、その他の要因により異なる場合があります。
- WD Blue® SN5000 NVMe 2TB SSDとの比較。電力効率は、シーケンシャル読み出し中に1秒ごとに測定した最大消費電力の平均値に基づきます。電力効率は、ホスト機器、使用状況、ドライブの容量、その他の要因により異なる場合があります。